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零件图片（仅供参考）
AON7404
规格参数

AON7404是一款采用8-DFN封装的N沟道功率MOSFET，其核心优势在于极低的导通损耗和出色的电流处理能力。该器件在4.5V驱动电压、20A电流条件下的导通电阻低至6毫欧，显著降低了功率转换中的传导损耗。同时，其栅极电荷仅为43nC，有利于实现高效率的高速开关操作。

该MOSFET的漏源电压为20V，适用于12V总线系统。在壳温条件下，其连续漏极电流高达40A，最大功耗为40W，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性和热稳定性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等应用的优选器件。

  • 制造商产品型号：AON7404
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 20A/40A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），40A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4630pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），40W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7404
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 20A/40A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7404的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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