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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6971是AOS公司推出的一款采用8-PowerWDFN封装的双N沟道MOSFET阵列,属于其SRFET产品系列。该器件集成了两个逻辑电平门控的MOSFET,构成一个半桥,漏源电压(Vdss)为30V,适用于主流低压功率系统。
其核心优势在于优异的电气性能平衡:在10V驱动下,导通电阻(Rds(on))低至5.7毫欧(@20A),同时栅极电荷(Qg)最大仅为23nC,这共同实现了极低的导通与开关损耗。高达23A的连续电流能力和2.2V的最大栅极阈值电压,使其能够高效、直接地由低压逻辑信号驱动,非常适合高频率、高密度的同步整流和电机驱动应用。

基本参数:

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