专注AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）产品销售十多年，服务全国数百家制造企业及科研院校！
购买电话
AOS
AOS代理商-AOS公司半导体授权国内AOS代理商
AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
AOS全球现货资源整合通路代理商
我们为全球各个行业提供AOS AOT11C60PL及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
AOT11C60PL
规格参数

AOT11C60PL是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气参数针对高效能开关应用进行了优化，具备600V的漏源击穿电压(Vdss)和11A的连续漏极电流(Id)能力，为高压功率处理提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为420毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大50nC的低栅极电荷(Qg)有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体电源系统的转换效率。其高达298W的功率耗散能力与宽工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在 demanding 应用环境下的热可靠性与长期稳定性。

  • 制造商产品型号：AOT11C60PL
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2333pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：298W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
  • AOT11C60PL，AOS产品一站式供应商。
    • 只为成为您值得信赖的AOS供应商
    基本参数：
  • 电子零件型号：AOT11C60PL
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT11C60PL的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
  • 全球现货资源整合，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！
    • AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
    AOS零部件采购平台
    AOZ5049QI
    AOZ5049QI
    功率驱动器模块
    AO3404A
    AO3404A
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    AOZ8829ADI-05
    AOZ8829ADI-05
    TVS - 二极管
    AOL1454G
    AOL1454G
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    AOT2142L
    AOT2142L
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    AOZ8530DI
    AOZ8530DI
    EMI-RFI 滤波器（LC，RC 网络）
    AOS代理商-AOS公司半导体授权国内AOS代理商

    AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价

    AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列

    AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询