AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6884L_002 是AOS公司推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerSMD封装。该器件在40V漏源电压下，具备高达34A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值11.3mΩ @ 10A, 10V）与优化的开关特性（栅极电荷最大值16nC @ 4.5V），旨在最大限度地降低传导与开关损耗。
其设计支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了高温环境下的可靠性。该集成化双MOSFET解决方案主要面向高密度、高效率的应用，如同步整流、电机驱动和各类电源转换拓扑，为系统提供紧凑且高性能的功率开关选项。
基本参数：
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