AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AON6405L_102及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6405L_102 是一款采用 8-DFN-EP 封装的 P 沟道功率 MOSFET，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力。该器件在 10V Vgs、20A Id 条件下，Rds(On) 最大值仅为 7 毫欧，有效降低了功率损耗。其连续漏极电流在环境温度下为 15A，在良好的散热条件下可达 30A，并支持 30V 的漏源电压。
此外，器件具备 105nC 的低栅极电荷（Qg @ 10V）和 1.6V 的最大栅极阈值电压，这有利于实现快速开关并兼容低电压逻辑驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）与高达 83W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在各种严苛应用环境下的可靠性与稳定性。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询