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AON4421_001是一款采用表面贴装8-DFN封装的P沟道功率MOSFET，由AOS公司制造。其核心电气规格包括30V的漏源击穿电压和高达8A的连续漏极电流承载能力，为低压大电流开关应用提供了坚实的基础。

该器件的显著优势在于其极低的导通阻抗，在10V栅极驱动下，最大导通电阻仅为26毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。同时，其栅极电荷最大值为21nC，有利于实现快速的开关切换，减少动态损耗。这些特性使其成为负载开关、电源管理和DC-DC转换等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON4421_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1120pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x2）
• AON4421_001，AOS产品一站式供应商。