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零件图片（仅供参考）
AOD452
规格参数

AOD452是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气参数包括25V的漏源电压（Vdss）以及在壳温（Tc）条件下高达55A的连续漏极电流能力，为处理中高功率应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动、30A漏极电流条件下最大值仅为8.5毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为32nC，有助于实现快速的开关切换并减少开关损耗。结合宽泛的-55°C至175°C结温工作范围，AOD452为设计高效率、高可靠性的电源转换和功率控制电路提供了一个性能突出的解决方案。

  • 制造商产品型号：AOD452
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 55A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：55A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1476pF @ 12.5V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），51.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD452
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 25V 55A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD452的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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