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AO4423_101是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心卖点在于优异的电流处理能力与低导通损耗，在25°C下可支持17A的连续漏极电流，并在20V栅极驱动、15A电流条件下提供仅6.2毫欧的最大导通电阻。

该器件设计用于30V电压系统，具备较低的栅极电荷（最大57nC @ 10V）和宽泛的栅源电压耐受范围（±25V），有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类环境条件下的稳定性和可靠性，适用于高效率的电源开关与管理应用。

• 制造商产品型号：AO4423_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 15A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3033pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4423_101，AOS产品一站式供应商。