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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOU4S60 是AOS公司推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流，为离线式电源应用提供了坚实的电压与电流处理基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态特性，最大栅极电荷（Qg）仅为6nC，导通电阻（Rds(On)）为900毫欧 @ 10V。这种低Qg与低Rds(On)的组合，能够显著降低开关损耗与导通损耗，提升电源系统的整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）也确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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