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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF7T60P 是一款由 AOS 制造的 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220-3F 通孔封装。其核心电气参数包括 600V 的漏源击穿电压（Vdss）和 7A 的连续漏极电流（Tc），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键性能优势体现在其开关特性上：在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值为 1.1 欧姆，同时栅极电荷（Qg）最大值为 25nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有助于在降低导通损耗的同时实现快速的开关切换，从而提升系统整体效率。其工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，确保了在宽温度范围内的稳定运行。
基本参数：
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