我们为全球各个行业提供AOS AOTF292L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOTF292L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的AlphaSGT产品系列。该器件采用TO-220F封装，核心电气规格包括100V的漏源电压（Vdss）和70A（Tc）的连续漏极电流额定值，适用于中高功率处理场景。

其关键优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.5毫欧（@20A），能显著降低导通损耗。同时，126nC的栅极电荷（Qg）与3.4V的栅极阈值电压（Vgs(th)）相结合，确保了快速、高效的开关性能，有助于提升整体系统效率并简化驱动设计。

• 型号:AOTF292L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO220F
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6775 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:47W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF292L，AOS产品一站式供应商。