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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF292L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的AlphaSGT产品系列。该器件采用TO-220F封装，核心电气规格包括100V的漏源电压（Vdss）和70A（Tc）的连续漏极电流额定值，适用于中高功率处理场景。
其关键优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.5毫欧（@20A），能显著降低导通损耗。同时，126nC的栅极电荷（Qg）与3.4V的栅极阈值电压（Vgs(th)）相结合，确保了快速、高效的开关性能，有助于提升整体系统效率并简化驱动设计。
基本参数：
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