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AOTF2610L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心电气参数定义了出色的性能：60V的漏源电压和高达35A（Tc）的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础。

器件的关键优势在于其极低的导通电阻（10.7mΩ @ 20A, 10V）与较低的栅极电荷（30nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中实现低传导损耗与低开关损耗，从而优化整体系统效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了在各种环境条件下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOTF2610L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2007 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF2610L，AOS产品一站式供应商。