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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT502是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高效功率开关设计。其核心优势在于平衡了低导通损耗与快速开关性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为11.5毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至28nC，这有助于降低系统传导损耗和开关损耗，提升整体能效。
该器件具备33V的漏源电压（Vdss）和强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达60A，峰值性能突出。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为DC-DC转换、电机控制和电源分配等中等功率应用的理想选择。
制造商产品型号：AOT502制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：33V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.5 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10VVgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），79W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220AOT502，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOT502
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOT502的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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