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AOT502是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高效功率开关设计。其核心优势在于平衡了低导通损耗与快速开关性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为11.5毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至28nC，这有助于降低系统传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

该器件具备33V的漏源电压（Vdss）和强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达60A，峰值性能突出。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为DC-DC转换、电机控制和电源分配等中等功率应用的理想选择。

• 型号:AOT502
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT502，AOS产品一站式供应商。