AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOSD21307是AOS推出的一款30V耐压、双P沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，旨在为高密度PCB设计提供节省空间的解决方案。
其关键电气参数表现出色：在10V Vgs驱动下，导通电阻(Rds(on))低至16mΩ @ 9A，有效降低了导通损耗；栅极电荷(Qg)最大值为51nC，支持快速的开关速度。每个通道可承受9A的连续电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温范围内的稳定性和可靠性。
这些特性使其成为负载开关、电源路径管理、电机驱动和DC-DC转换等应用中，实现高效功率控制和电路保护的优选器件。
基本参数：
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