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零件图片（仅供参考）
AONS36348
规格参数

AONS36348是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率和功率密度应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（7mΩ @ 10V, 20A）与出色的开关性能（Qg仅20nC），这直接降低了功率损耗并提升了开关频率能力。

该器件额定电压30V，在Tc条件下支持高达50A的连续电流，结合26W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高负载下的稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）和4.5V/10V的驱动电压，使其能兼容多种低压控制逻辑，广泛应用于同步整流、DC-DC转换及电机驱动等关键电源管理领域。

  • 制造商产品型号：AONS36348
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 24A/50A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta），50A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），26W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AONS36348
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 24A/50A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONS36348的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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