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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR21117是AOS推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）紧凑封装。其核心电气特性包括20V的漏源电压额定值，以及在4.5V Vgs、20A Id条件下仅4.8毫欧的最大导通电阻，这直接转化为优异的导通效率与低功耗表现。
器件提供高达26.5A（Ta）和34A（Tc）的连续电流处理能力，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。结合最大88nC的栅极电荷和兼容标准逻辑电平的驱动电压（2.5V-4.5V），使其成为需要快速开关、高效热管理和高可靠性的电源管理应用的理想选择。
基本参数：
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