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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6760是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高电流、高效率应用优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下典型值仅为3.9毫欧，配合28A（Ta）/36A（Tc）的连续漏极电流能力，能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。
此外，该器件具备优异的开关性能，最大栅极电荷（Qg）低至70nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。其30V的漏源电压和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ），确保了在同步整流、电机驱动及电源管理等严苛应用中的可靠性与稳定性。
基本参数：
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