AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON1605是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用微型3-DFN封装（1.0 x 0.60 mm），专为高密度PCB设计优化。其核心电气特性包括20V的漏源电压（Vdss）和700mA的连续漏极电流能力，确保了在低压便携式应用中的可靠开关性能。
该器件的关键优势在于其极低的栅极驱动要求与优异的导通特性。其栅源阈值电压最大值为1.1V，可在1.5V的低电压下有效开启，便于直接由现代微处理器驱动。在4.5V Vgs下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为710毫欧@400mA，配合较低的栅极电荷（750nC），共同实现了高效率与快速开关的平衡，有效降低了系统功耗与热耗散。
基本参数：
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