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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOI4130 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-251A 通孔封装,专为需要高效功率切换的应用而设计。其核心优势在于 60V 的漏源电压额定值以及优异的导通特性,在 10V 驱动电压、20A 电流条件下,导通电阻最大值仅为 24 毫欧,这显著降低了导通状态下的功率损耗。
该器件具备强大的电流处理能力,在壳温条件下可支持高达 30A 的连续漏极电流,同时其低栅极电荷(最大 34nC)有助于实现快速的开关切换,提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 175°C)和高达 52W(Tc)的功率耗散能力,确保了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

基本参数:
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