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AOI4130 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-251A 通孔封装，专为需要高效功率切换的应用而设计。其核心优势在于 60V 的漏源电压额定值以及优异的导通特性，在 10V 驱动电压、20A 电流条件下，导通电阻最大值仅为 24 毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。

该器件具备强大的电流处理能力，在壳温条件下可支持高达 30A 的连续漏极电流，同时其低栅极电荷（最大 34nC）有助于实现快速的开关切换，提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和高达 52W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOI4130
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI4130，AOS产品一站式供应商。