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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI409是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）和26A的连续漏极电流（Id）承载能力，结合低至40毫欧（@10V Vgs, 20A Id）的最大导通电阻，为高电流开关应用提供了出色的效率基础。
该器件具备优化的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为54nC，支持4.5V至10V的标准驱动电压，确保了快速、高效的开关性能。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和坚固的封装设计，保障了其在严苛环境下的高可靠性，适用于电源管理、电机驱动及负载开关等多种场景。
基本参数：
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