专注AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)产品销售十多年,服务全国数百家制造企业及科研院校!
我们为全球各个行业提供
AOS AOD538及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)
规格参数
AOD538是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)封装。该器件额定漏源电压为30V,在管壳温度(Tc)条件下可支持高达70A的连续漏极电流,具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通损耗与良好的开关性能。在10V Vgs驱动下,其导通电阻(Rds(On))最大值低至3.1毫欧(@20A),能显著降低导通状态下的功率耗散。同时,42nC(@10V)的最大栅极电荷确保了快速的开关速度,有利于提升高频开关电源的效率。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C,可靠性高。
这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换、电机驱动等中功率、高效率应用的优选功率开关解决方案。
制造商产品型号:AOD538制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET N-CH 30V 34A/70A TO252系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:AlphaMOS零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):34A(Ta),70A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):42nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2160pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):4.2W(Ta),24W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-252,(D-Pak)AOD538,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AOD538
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 34A/70A TO252
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
点击此处查询AOD538的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
全球现货资源整合,最快当日出货,满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求!
