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AOD538是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）封装。该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达70A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通损耗与良好的开关性能。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值低至3.1毫欧（@20A），能显著降低导通状态下的功率耗散。同时，42nC（@10V）的最大栅极电荷确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，可靠性高。

这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换、电机驱动等中功率、高效率应用的优选功率开关解决方案。

• 型号:AOD538
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 34A/70A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2160 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD538，AOS产品一站式供应商。