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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD2HC60是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件的核心卖点在于其600V的高漏源击穿电压（Vdss）和较低的导通电阻，在10V Vgs下典型值表现优异，能够有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。
其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，适用于频率要求较高的开关电源拓扑。器件在壳温条件下可支持2.5A的连续漏极电流和74W的功率耗散，结合-50°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行与长期可靠性。
基本参数：
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