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零件图片（仅供参考）
AOD206_030
规格参数

AOD206_030是AOS公司推出的一款采用TO-252封装的N沟道功率MOSFET。该器件额定电压30V，在环境温度25°C下连续漏极电流达18A，其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs、20A条件下典型值仅为5毫欧，能有效降低导通损耗，提升系统效率。

器件具备优异的开关性能，最大栅极电荷（Qg）低至33nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。其2.4V的栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动，简化了电路设计。同时，其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和高达50W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。

  • 制造商产品型号：AOD206_030
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1333pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD206_030
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD206_030的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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