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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB9N70L是一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心规格包括700V的漏源电压（Vdss）和9A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下具有优化的导通特性，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.2欧姆 @ 4.5A，有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为35nC @ 10V，结合1630pF @ 25V的输入电容（Ciss），有利于实现高效的开关性能并简化驱动设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散能力为236W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠运行。
基本参数：
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