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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB262L 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装，核心额定参数为 60V 漏源电压和 20A（Ta）/ 140A（Tc）连续漏极电流。其设计重点在于优化功率转换效率，关键优势体现在极低的导通电阻，在 10V Vgs 驱动下典型值仅为 2.8 毫欧，能显著降低传导损耗。
器件具备良好的开关特性，最大栅极电荷为 115nC，有助于实现快速的开关切换。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和高达 333W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高温、高功率应用环境下的可靠性与鲁棒性。这些特性使其成为同步整流、电机控制和各类 DC-DC 电源转换拓扑中高性能开关管的典型选择。
基本参数：
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