AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4828L是一款8-SOIC封装的双N沟道功率MOSFET阵列，由AOS制造。其核心特性包括60V的漏源电压（Vdss）和逻辑电平门极驱动（Vgs(th)最大3V），使其能够直接兼容低压控制信号。
该器件在10V Vgs和4.5A Id条件下提供低至56毫欧的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，其较低的栅极电荷（10.5nC @ 10V）和输入电容（540pF @ 30V）有助于实现快速开关，提升系统效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，采用表面贴装形式，适用于对空间和效率有要求的紧凑型功率开关设计。
基本参数：
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