我们为全球各个行业提供AOS AO4427现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO4427是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压和12.5A的连续漏极电流，为中等功率应用提供了可靠的性能基础。

该器件的关键优势在于其低损耗特性。在20V栅极驱动下，其导通电阻低至12毫欧（@12.5A），能显著降低传导过程中的功率损耗。同时，其栅极电荷最大值仅为52nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升整体系统的能效。

该器件设计用于表面贴装，工作结温范围宽（-55°C至150°C），适用于DC-DC转换、电机驱动及负载开关等场景。需注意，此型号目前已停产。

• 型号:AO4427
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 12.5A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4427，AOS产品一站式供应商。