AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3481C是AOS推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，在30V的漏源电压（Vdss）下可支持高达4A的连续漏极电流（Id）。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为50毫欧，能显著降低功率损耗，提升系统效率。
该器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）低至20nC，输入电容（Ciss）最大为645pF，这有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。其1.3V的最大阈值电压使其与标准逻辑电平兼容，便于直接驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和1.4W的功率耗散能力，确保了其在各种应用环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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