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零件图片（仅供参考）
AO3422L
规格参数

AO3422L是一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装，专为空间受限的高效功率管理应用而设计。其核心优势在于55V的漏源电压和低至160毫欧（@4.5V Vgs, 2.1A Id）的导通电阻，这显著降低了导通损耗，提升了电源转换效率。

该器件具备2.1A的连续漏极电流能力和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）。其低栅极电荷（3.3nC @4.5V）和适中的栅极阈值电压使其兼容逻辑电平驱动，便于由微控制器直接控制，简化了电路设计。这些特性使其成为负载开关、DC-DC转换及电机驱动等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AO3422L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：55V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.3nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：300pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3422L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3422L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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