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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF11S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装，属于其aMOS产品系列。该器件设计用于高压应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流额定值。
其技术优势主要体现在低损耗特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为399毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至11nC。这些特性共同确保了器件在开关电源、电机驱动等应用中，能够实现高效率的功率转换与快速开关，最大功率耗散能力为28W（Tc）。
基本参数：
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