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AOWF11S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装，属于其aMOS产品系列。该器件设计用于高压应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流额定值。

其技术优势主要体现在低损耗特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为399毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至11nC。这些特性共同确保了器件在开关电源、电机驱动等应用中，能够实现高效率的功率转换与快速开关，最大功率耗散能力为28W（Tc）。

• 型号:AOWF11S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF11S60，AOS产品一站式供应商。