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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW25S65 是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。其核心电气规格定义了强大的功率处理能力：650V的漏源电压和25A的连续漏极电流，使其能够胜任高压大电流的开关任务。
该器件的关键性能优势在于其低导通特性与良好的开关特性平衡。导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@10V， 12.5A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为26.4nC，有助于实现快速的开关切换，从而提升整体转换效率并降低开关损耗。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动及逆变器等应用的可靠选择。
基本参数：
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