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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF9N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和9A（Tc）的连续漏极电流，为高压应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值为850毫欧（@4.5A），有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值28nC @10V）支持快速的开关切换，有利于提升系统效率和工作频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和38.5W（Tc）的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行。
基本参数：
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