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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF22N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心优势在于500V的高漏源电压（Vdss）额定值与22A的连续漏极电流（Id）能力的结合，为高压大电流应用提供了基础保障。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为260毫欧（@11A），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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