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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF10T60P是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），适用于高压开关应用。
其关键特性在于良好的导通与开关性能平衡：导通电阻（Rds(On)）低至700毫欧（@10V，5A），有助于减少导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC，有利于实现高效的快速开关。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等中功率应用的可靠选择。
基本参数：
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