AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AONS36316及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS36316是一款采用8-DFN-EP封装的N沟道功率MOSFET，额定漏源电压30V，具备高电流承载能力，在Tc条件下连续漏极电流可达32A。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值4.1mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（42nC），这共同确保了在高频开关电源应用中实现低导通损耗与低开关损耗，提升整体系统效率。
器件设计注重热性能与可靠性，嵌入式裸露焊盘增强了散热能力，支持高达26W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其非常适用于空间受限且要求高效率、高可靠性的应用，如服务器电源、通信基础设施、电机驱动及便携式设备的电源管理单元。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询