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AONS36316是一款采用8-DFN-EP封装的N沟道功率MOSFET，额定漏源电压30V，具备高电流承载能力，在Tc条件下连续漏极电流可达32A。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值4.1mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（42nC），这共同确保了在高频开关电源应用中实现低导通损耗与低开关损耗，提升整体系统效率。

器件设计注重热性能与可靠性，嵌入式裸露焊盘增强了散热能力，支持高达26W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其非常适用于空间受限且要求高效率、高可靠性的应用，如服务器电源、通信基础设施、电机驱动及便携式设备的电源管理单元。

• 型号:AONS36316
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2005 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），26W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AONS36316，AOS产品一站式供应商。