AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6408L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN表面贴装封装，专为高效率和紧凑型设计而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs驱动下，Rds(on)典型值仅为6.5毫欧（@20A），能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流在Tc条件下可达25A，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。其低栅极电荷（Qg最大36nC）和适中的输入电容确保了快速的开关特性，有利于在高频开关电源中应用。这些参数使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等应用的可靠解决方案。
基本参数：
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