AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6384是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。其核心优势在于在30V的漏源电压（Vdss）规格下，实现了高达83A的连续漏极电流承载能力与极低的导通电阻（典型值3.3mΩ @ 10V, 20A），这使其在功率路径中能显著降低传导损耗。
此外，该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）仅为35nC，有助于降低驱动损耗并提升开关频率，适用于高效率DC-DC转换。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与优化的封装散热设计，共同保障了其在 demanding 应用环境下的高可靠性与稳定性。
基本参数：
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