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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6226是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用8-DFN-EP封装，核心参数包括100V的漏源电压（Vdss）和48A的连续漏极电流（Id）能力，适用于中高功率应用。
其技术优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下最大值仅为7.9毫欧，配合最大60nC的栅极电荷（Qg），有效降低了导通与开关损耗，提升了系统整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性，主要面向DC-DC转换、电机驱动和电源管理等应用领域。
基本参数：
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