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AOI11S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于aMOS产品系列，采用TO-251A通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），具备强大的高压大电流处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至399毫欧，能有效降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大11nC）确保了快速的开关速度，有助于最小化开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为高效开关电源、电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:AOI11S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI11S60，AOS产品一站式供应商。