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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD66920是一款采用TO-252封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的AlphaSGT产品系列。其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss），以及在10V Vgs、20A Id条件下仅8.2毫欧的最大导通电阻（Rds(on)），这为降低导通损耗提供了坚实基础。
该器件具备优异的开关性能，最大栅极电荷（Qg）为50nC，有助于实现快速开关并减少开关损耗。其电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达70A，同时支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。
基本参数：
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